- Cyrkulator mikropaskowy
- Izolator mikropaskowy
- Cyrkulator mikropaskowy z podwójnym złączem
- Cyrkulator wpuszczany
- Izolator wpuszczany
- Wpuszczany cyrkulator z podwójnym złączem
- Współosiowy cyrkulator
- Izolator koncentryczny
- Współosiowy cyrkulator z podwójnym złączem
- Cyrkulator falowodowy
- Izolator falowodu
- Falowód dużej mocy z różnicowym przesunięciem fazowym
01
Dwuzłączowy cyrkulator mikrofalowy SMT
Charakterystyka i zastosowania
Cyrkulator ten zapewnia wysoką wydajność izolacji i wydajne kierowanie sygnałów w nowoczesnych systemach komunikacyjnych, systemach radarowych i modułach front-end RF. Kompatybilność z procesami montażowymi SMT sprawia, że jest to idealny wybór do zastosowań, w których istotna jest oszczędność miejsca i wydajny montaż. Mikrofalowy cyrkulator z podwójnym złączem SMT zapewnia niezawodne prowadzenie sygnału i izolację, umożliwiając jednocześnie łatwą integrację z obwodami opartymi na technologii montażu powierzchniowego.
Tabela parametrów elektrycznych i wygląd produktu
Dwuzłączowy mikrofalowy cyrkulator SMT 5,0 ~ 6,0 GHz
Przegląd produktu
Oto dwuzłączowy cyrkulator mikropaskowy z technologią montażu powierzchniowego w paśmie C, zaprojektowany z myślą o łatwej instalacji przy użyciu technologii montażu powierzchniowego. Produkt można dostosować w oparciu o wymagania dotyczące pasma częstotliwości, przepustowości, wymiarów i lokalizacji portów.
Tabela wydajności elektrycznej
| Model | Częstotliwość (GHz) | BW maks | Tłumienie wtrąceniowe (dB) Maks | Izolacja (dB) Min | VSWR Maks | Temperatura robocza (℃) | PK/CW/RP (Wat) | Kierunek |
| HMDHA50T60G-R | 5,0 ~ 6,0 | PEŁNY | 0,5 (P1-P2) | 18,0(P2-P1) | 1,35 | -55~+85 | 30/15/10 | Zgodnie ze wskazówkami zegara |
| 0,9 (P2-P3) | 30,0(P3-P2) | |||||||
| HMDHB50T60G-R | 5,0 ~ 6,0 | PEŁNY | 0,5 (P1-P2) | 18,0(P2-P1) | 1,35 | -55~+85 | 30/15/10 | Przeciwnie do ruchu wskazówek zegara |
| 0,9 (P2-P3) | 30,0(P3-P2) |
Wygląd produktu
Dwuzłączowy mikrofalowy cyrkulator SMT 8,5 ~ 10,5 GHz
Przegląd produktu
Oto dwuzłączowy cyrkulator mikropaskowy z technologią montażu powierzchniowego w paśmie X, zaprojektowany z myślą o łatwej instalacji przy użyciu technologii montażu powierzchniowego. Produkt można dostosować w oparciu o wymagania dotyczące pasma częstotliwości, przepustowości, wymiarów i lokalizacji portów.
Tabela wydajności elektrycznej
| Model | Częstotliwość (GHz) | BW maks | Tłumienie wtrąceniowe (dB) Maks | Izolacja (dB) Min | VSWR Maks | Temperatura robocza (℃) | PK/CW/RP (Wat) | Kierunek |
| HMDHE85T105G | 8,5 ~ 10,5 | PEŁNY | 0,45 (P1-P2) | 18,0(P2-P1) | 1.3 | -55~+85 | 20.10.2 | Zgodnie ze wskazówkami zegara |
| 0,9 (P2-P3) | 30,0(P3-P2) | |||||||
| HMDHF85T105G | 8,5 ~ 10,5 | PEŁNY | 0,45 (P1-P2) | 18,0(P2-P1) | 1.3 | -55~+85 | 20.10.2 | Przeciwnie do ruchu wskazówek zegara |
| 0,9 (P2-P3) | 30,0(P3-P2) |
Wygląd produktu
Wykresy krzywych wskaźników wydajności dla niektórych modeli
Wykresy krzywych służą wizualnemu przedstawieniu wskaźników wydajności produktu. Oferują kompleksową ilustrację różnych parametrów, takich jak charakterystyka częstotliwościowa, tłumienność wtrąceniowa, izolacja i obsługa mocy. Wykresy te odgrywają zasadniczą rolę w umożliwieniu klientom oceny i porównania specyfikacji technicznych produktu, pomagając w podejmowaniu świadomych decyzji dotyczących ich specyficznych wymagań.