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製造工程

  • マイクロストリップコンポーネント

    ●回路基板とバックプレーンははんだ付けされています。はんだは、はんだペーストまたははんだラグです。
    ●回路基板、支持体、補償シート、永久磁石の間に接着プロセスを採用しています。

  • 導波路コンポーネント

    ●キャビティ部はジュラルミン導電酸化処理を採用。
    ●キャビティ間はネジ接続方式を採用しています。
    ●フェライト基板、支持体、補償シート、永久磁石、キャビティ間に接着プロセスを採用

  • ドロップイン/同軸コンポーネント

    ●ドロップイン回路はベリリウム青銅に金メッキまたは銅銀メッキを施しています。
    ●抵抗とキャビティは溶接プロセスを採用し、はんだははんだペーストを使用し、溶接温度は205 °Cです。
    ●フェライト基板、支持体、補償シート、永久磁石、磁気回路間に接着プロセスを採用しており、接着剤はX98-11アセタール乾性接着剤を使用し、硬化温度は150℃です。
    ●製品シェルの塗装層は工業用純鉄銅メッキニッケルメッキです。
    ●ドロップイン製品にコネクタを追加した同軸製品です。